[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构的制造方法，在布置有5V器件区和SONOS存储区的半导体基底上，首先在SONOS存储区形成ONO结构，该ONO结构包括覆盖其顶部和侧面的表面覆盖层，接着在5V器件区形成第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅硬掩模层，在SONOS存储区形成第二栅极结构，第二栅极结构包括第二栅硬掩模层，然后在5V器件区110进行LDD离子注入，由于表面覆盖层的保护，可以减小或避免完成该LDD注入后去除第一栅硬掩模层的刻蚀过程对ONO结构中的氮化层的影响，进一步的，可以利用ISSG工艺形成上述表面覆盖层，成本较低。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底上布置有5V器件区和SONOS存储区；在所述SONOS存储区形成ONO结构，其中，所述ONO结构包括覆盖其顶部和侧面的表面覆盖层；在所述5V器件区形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅硬掩模层，并在所述SONOS存储区形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅硬掩模层；在所述5V器件区进行LDD离子注入；以及去除所述第一栅硬掩模层和所述第二栅硬掩模层。