[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，所述半导体基底上布置有5V器件区和SONOS存储区；

在所述SONOS存储区形成ONO结构，其中，所述ONO结构包括覆盖其顶部和侧面的表面覆盖层；

在所述5V器件区形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅硬掩模层，并在所述SONOS存储区形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅硬掩模层；

在所述5V器件区进行LDD离子注入；以及

去除所述第一栅硬掩模层和所述第二栅硬掩模层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，利用ISSG方法形成所述表面覆盖层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述表面覆盖层包括氧化物。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述ONO结构还包括沿所述半导体基底表面依次叠加形成的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，其中，所述第二氧化层和所述表面覆盖层的厚度之和是设置于所述氮化层与所述第二栅极结构之间的全部氧化物的厚度。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：所述SONOS存储区包括SONOS源漏区，在去除所述第一栅硬掩模层和所述第二栅硬掩模层之后，去除所述ONO结构覆盖所述SONOS源漏区的部分。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，利用湿法刻蚀去除所述第一栅硬掩模层和所述第二栅硬掩模层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，位于所述ONO结构的侧面的所述表面覆盖层的厚度大于或者等于所述湿法刻蚀对所述表面覆盖层的刻蚀深度。

8.如权利要求1至7任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一栅极结构还包括在所述5V器件区依次叠加形成的第一栅极氧化层和第一栅极层，所述第一栅硬掩模层覆盖所述第一栅极层的上表面。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二栅极结构还包括在所述ONO结构上方形成的第二栅极层，所述第二栅硬掩模层覆盖所述第二栅极层的上表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二栅极层和所述第一栅极层利用同一成膜工艺形成，所述第二栅硬掩模层和所述第一栅硬掩模层利用同一成膜工艺形成。