[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711393675.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950312B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和隔离结构；形成横跨所述鳍部的栅极结构；之后在鳍部侧壁表面形成第一鳍部侧墙；之后在第一鳍部侧墙侧壁表面形成第二侧墙；之后在栅极结构两侧的鳍部中形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层具有第一离子，所述第一掺杂层中的第一离子具有第一浓度；之后去除所述第一鳍部侧墙，在第二侧墙和第一掺杂层之间形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层具有第二离子，第二离子与第一离子导电类型相同，第二掺杂层中的第二离子具有第二浓度，第二浓度大于第一浓度。所述半导体器件的形成方法改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和隔离结构，隔离结构覆盖部分鳍部的侧壁；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在鳍部侧壁表面形成第一鳍部侧墙；形成第一鳍部侧墙后，在所述第一鳍部侧墙侧壁表面形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，在栅极结构两侧的鳍部中形成第一凹槽，第一凹槽暴露出第一鳍部侧墙侧壁；在第一凹槽内形成第一掺杂层，所述第一掺杂层具有第一离子，所述第一掺杂层中的第一离子具有第一浓度；第一掺杂层形成后，去除所述第一鳍部侧墙，在第二侧墙和第一掺杂层之间形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖第一掺杂层的顶部和侧壁，所述第二掺杂层具有第二离子，第二离子与第一离子导电类型相同，所述第二掺杂层中的第二离子具有第二浓度，所述第二浓度大于第一浓度。
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