[发明专利]一种Ku波段一分三功分器的制作工艺在审

专利信息
申请号: 201711392153.5 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108039553A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 徐日红;孟庆贤;俞昌忠;汪伦源;张庆燕;李小亮;方航;余鹏;叶启伟 申请(专利权)人: 安徽华东光电技术研究所
主分类号: H01P11/00 分类号: H01P11/00;H01P5/16
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 朱圣荣
地址: 241000 安徽省芜湖*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明适用于微波模块制作工艺技术领域,提供了一种Ku波段一分三分器的制作工艺,包括如下步骤:制作共晶组件,包括:芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2;气相清洗腔体、电路板及绝缘子;将共晶组件1、片电阻及衰减器芯片件烧结到电路板上;将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2及绝缘子的一端烧结到腔体上将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板;对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合;对金丝键合后的组件进行测试及调试,测试合格后,进行封盖、打标。该Ku波段一分三功分器的工艺流程简单、方便、科学,提高了产品的合格率,提高了车间生产的效率,降低了整机产品调试的难度。
搜索关键词: 一种 ku 波段 一分 三功分器 制作 工艺
【主权项】:
1.一种Ku波段一分三功分器的制作工艺,其特征在于,所述工艺包括如下步骤:S1、制作共晶组件,共晶组件包括:芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、以及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2;S2、气相清洗腔体、电路板及绝缘子;S3、将各元器件烧结到电路板上,所述元器件包括:共晶组件1、片电阻及衰减器芯片;S4、将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2以及绝缘子的一端烧结到腔体上;S5、将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板;S6、对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合;S7、对金丝键合后的组件进行测试及调试,测试合格后,进行封盖、打标。
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