[发明专利]一种Ku波段一分三功分器的制作工艺

说明书

本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种Ku波段一分三分器的制作工艺，包括如下步骤：制作共晶组件，包括：芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2；气相清洗腔体、电路板及绝缘子；将共晶组件1、片电阻及衰减器芯片件烧结到电路板上；将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2及绝缘子的一端烧结到腔体上将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板；对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合；对金丝键合后的组件进行测试及调试，测试合格后，进行封盖、打标。该Ku波段一分三功分器的工艺流程简单、方便、科学，提高了产品的合格率，提高了车间生产的效率，降低了整机产品调试的难度。

技术领域

本发明属于微波模块制作工艺领域，提供了一种Ku波段一分三功分器的制作工艺。

背景技术

现代微波技术已经广泛应用于通信领域，随着技术的发展和用户使用要求的提高，微波技术朝着小型化、集成化、宽带化和高频化的方向发展已经成为了主流。功分器广泛应用于各种微波通信电路中，功分器指标的优劣直接影响着微波通信系统整体性能指标的好坏，Ku波段一分三功分器是指将工作频段在12-18GHz之间的输入信号能量等分成三路相等能量信号输出的器件。

目前急需一种操作简单、合格率高的Ku波段一分三功分器的制作工艺。

发明内容

本发明实施例提供Ku波段一分三功分器的制作工艺，旨在提供一种工艺流程操作性强、产品合格率高的Ku波段一分三功分器的制作工艺。

本发明是这样实现的，一种Ku波段一分三功分器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：

S1、制作共晶组件，共晶组件包括：芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、以及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2；

S2、气相清洗腔体、电路板及绝缘子；

S3、将各元器件烧结到电路板上，所述元器件包括：共晶组件1、片及衰减器芯片；

S4、将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2以及绝缘子的一端烧结到腔体上；

S5、将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板；

S6、对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合；

S7、对金丝键合后的组件进行测试及调试，测试合格后，进行封盖、打标。

进一步的，所述共晶组件1的制备如下：

将钼铜载体放在温度为290℃共晶台上；

粘取适量的熔点为280℃的金锡焊膏放在钼铜载体上；

待金锡焊膏熔化后，将芯片放置于钼铜载体的中央位置上，适度拨动芯片，使芯片和钼铜载体粘接牢固；

所述芯片包括100pF的芯片电容和HMC441放大器芯片。

进一步的，所述共晶组件2的制备如下：

将钼铜载体放在温度为290℃共晶台上；

粘取适量的熔点为280℃的金锡焊膏放在钼铜载体上；

待金锡焊膏熔化后，将51Ω砷化镓电阻放在钼铜载体上，适度拨动该砷化镓电阻，使砷化镓电阻和钼铜载体粘接牢固。

进一步的，所述步骤S2具体包括如下步骤：

S21、将腔体、电路板和绝缘子无堆叠平放于清洗篮内，将清洗篮放入盛有68℃～70℃ABZOL CEG清洗剂的汽相清洗槽内，盖上清洗机设备盖板，清洗(15～20)分钟；