[发明专利]太阳能电池的制备方法和太阳能电池在审
申请号: | 201711386668.4 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108091727A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 柯扬船;何静 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 祝乐芳;黄健 |
地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池,太阳能电池的制备方法包括:沉积二氧化硅减反射膜至太阳能电池的硅基体表面,沉积氮化硅减反射膜至二氧化硅减反射膜表面。二氧化硅与硅基体具有良好的相容性,从而改善现有技术中硅‑氮化硅直接接触造成的硅基体与减反射膜界面的晶格失配的状况,同时减少界面上载流子复合导致载流子损失的现象,有利于太阳能电池光电转换效率的提高;并且,二氧化硅减反射膜与硅基体表面的附着力,大于氮化硅减反射膜与硅基体表面的附着力,从而提高了太阳能电池的减反射膜的附着能力;太阳能电池的双层减反射膜形成多重减反射机制,增加硅机体对太阳光的吸收量,有利于太阳能电池光电转换效率的进一步提高。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 减反射膜 硅基体 二氧化硅 附着力 制备 氮化硅减反射膜 光电转换效率 沉积 载流子 双层减反射膜 载流子复合 附着能力 晶格失配 氮化硅 减反射 太阳光 吸收量 相容性 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:沉积二氧化硅减反射膜至所述太阳能电池的硅基体表面;沉积氮化硅减反射膜至所述二氧化硅减反射膜表面。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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