[发明专利]太阳能电池的制备方法和太阳能电池

说明书

本发明提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括：沉积二氧化硅减反射膜至太阳能电池的硅基体表面，沉积氮化硅减反射膜至二氧化硅减反射膜表面。二氧化硅与硅基体具有良好的相容性，从而改善现有技术中硅‑氮化硅直接接触造成的硅基体与减反射膜界面的晶格失配的状况，同时减少界面上载流子复合导致载流子损失的现象，有利于太阳能电池光电转换效率的提高；并且，二氧化硅减反射膜与硅基体表面的附着力，大于氮化硅减反射膜与硅基体表面的附着力，从而提高了太阳能电池的减反射膜的附着能力；太阳能电池的双层减反射膜形成多重减反射机制，增加硅机体对太阳光的吸收量，有利于太阳能电池光电转换效率的进一步提高。

技术领域

本发明实施例涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。

背景技术

太阳能是一种可再生的清洁资源，太阳能电池利用太阳能进行光电转换，从而为用户提供电能。多晶硅太阳能电池的基底材料硅基体对太阳光的反射率高，无法有效地吸收太阳光，导致太阳能电池的光电转换效率低。

现有的制备多晶硅太阳能电池的技术中，通过在太阳能电池的硅基体表面沉积单层氮化硅减反射膜，减少对太阳光的反射率，提高太阳能电池对太阳能的吸收，进而提高太阳能电池的光电转换效率。

然而，采用现有技术制备的太阳能电池的光电转换效率有待进一步提高。

发明内容

本发明实施例提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，以使采用现有技术制备的太阳能电池的光电转换效率得到进一步提高。

本发明实施例第一方面提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

沉积二氧化硅减反射膜至上述太阳能电池的硅基体表面；

沉积氮化硅减反射膜至上述二氧化硅减反射膜表面。

可选的，上述沉积二氧化硅减反射膜至上述太阳能电池的硅基体表面，包括：通过液相沉积方法沉积第一预设厚度的二氧化硅减反射膜至上述太阳能电池的硅基体表面；

其中，上述液相沉积方法为设置上述硅基体于前驱溶液中预设时间段，以使上述第一预设厚度的二氧化硅减反射膜沉积至上述硅基体表面。

可选的，上述第一预设厚度小于或等于20纳米。

可选的，上述前驱溶液的温度在30℃至60℃之间。

可选的，上述前驱溶液中硅氟酸的质量分数为10％至50％，上述前驱溶液中促反应剂的质量分数为0.01％至10％；其中，上述前驱溶液中硅氟酸的质量分数和上述前驱溶液中促反应剂的质量分数用于共同控制上述二氧化硅减反射膜的沉积速率。

可选的，上述促反应剂为硼酸。

可选的，上述沉积氮化硅减反射膜至上述二氧化硅减反射膜表面，包括：

通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，简称PECVD)方法沉积第二预设厚度的上述氮化硅减反射膜至上述二氧化硅减反射膜上；

其中，上述第二预设厚度和上述第一预设厚度之和小于或等于80纳米。

可选的，上述沉积二氧化硅减反射膜至上述太阳能电池的硅基体表面之前，还包括：

获取表面无氧化物的硅基体；

对上述硅基体的表面进行磷扩散，获得pn结。

本发明实施例第二方面提供一种太阳能电池，包括：二氧化硅减反射膜和氮化硅减反射膜；

上述二氧化硅减反射膜位于上述太阳能电池的硅基体上；

上述氮化硅减反射膜位于上述二氧化硅减反射膜上。