[发明专利]一种Mo合金基体上MoTaAl涂层的制备方法

摘要

本发明公开了一种Mo合金基体上MoTaAl涂层的制备方法，将Mo合金基体清洗干燥后放入磁控溅射离子镀设备的真空室中，靶材至少包含一个Mo靶、一个Ta金属靶和一个Al金属靶，将真空室抽真空，然后对Mo合金基体进行离于轰击清洗，清洗后在Mo合金基体表面沉积一层Mo打底层，最后在Mo打底层上沉积MoTaAl镀层。本发明方法具有工艺简捷稳定、涂层成分控制精确、易实现工业化生产的特点。所制备的MoTaAl涂层与Mo合金基体结合良好，结构致密，Mo合金基体无氧化现象。

主权项

一种Mo合金基体上MoTaAl涂层的制备方法，其特征在于MoTaAl涂层中各组分的含量为Mo 52~72 wt%、Ta 22~40 wt%、Al 3~10 wt%，厚度为3～50μm，制备的具体步骤为：1）基体经机械沙纸打磨、化学电解抛光去油、去离子水冲洗、烘干、酒精超声波清洗、烘干、丙酮超声波清洗、烘干；2）将Mo合金基体清洗干燥后放入磁控溅射离子镀设备的真空室中，靶材至少包含一个纯Mo靶、一个纯Ta靶和一个纯Mo金属靶，将真空室抽真空到 1×10^‑5~9×10^‑5Torr；3）对Mo合金基体进行离子轰击清洗：通入Ar气，流量为 5~25sccm ，时间为12~30min；4）沉积Mo打底层：调整靶电流分别为：I_Mo为0.2~1A；调整工件的负偏压为‑150~‑l00V，时间为5~20min；5）沉积MoTaAl镀层：调整靶电流分别为：I_Mo为1~5A，I_Ta为0.5~4A, I_Al为0.6~5A；调整工件的负偏压为‑90~‑40V，时间为30~400min；镀膜完成后，冷却至室温，取出试样即可。