[发明专利]一种Mo合金基体上MoTaAl涂层的制备方法在审
申请号: | 201711382567.X | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108149208A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 张俊彦;张帆;梁爱民;高凯雄;牛博龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 周瑞华 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 打底层 金属靶 沉积 清洗 真空室抽真空 离子镀设备 成分控制 磁控溅射 基体表面 基体清洗 结构致密 氧化现象 基体无 真空室 靶材 镀层 放入 轰击 | ||
1.一种Mo合金基体上MoTaAl涂层的制备方法,其特征在于MoTaAl涂层中各组分的含量为Mo 52~72 wt%、Ta 22~40 wt%、Al 3~10 wt%,厚度为3~50μm,制备的具体步骤为:
1)基体经机械沙纸打磨、化学电解抛光去油、去离子水冲洗、烘干、酒精超声波清洗、烘干、丙酮超声波清洗、烘干;
2)将Mo合金基体清洗干燥后放入磁控溅射离子镀设备的真空室中,靶材至少包含一个纯Mo靶、一个纯Ta靶和一个纯Mo金属靶,将真空室抽真空到 1×10-5~9×10-5Torr;
3)对Mo合金基体进行离子轰击清洗:通入Ar气,流量为 5~25sccm ,时间为12~30min;
4)沉积Mo打底层:调整靶电流分别为:IMo为0.2~1A;调整工件的负偏压为-150~-l00V,时间为5~20min;
5)沉积MoTaAl镀层:调整靶电流分别为:IMo为1~5A,ITa为0.5~4A, IAl为0.6~5A;调整工件的负偏压为-90~-40V,时间为30~400min;镀膜完成后,冷却至室温,取出试样即可。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述Mo合金基体为纯Mo、钨Mo合金、Mo钛合金、Mo镐合金、稀土Mo合金或多元系Mo合金。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述Mo合金基体为Mo合金棒、Mo合金管、Mo合金片或异型件。
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