[发明专利]新型GaN基LED的制备方法在审
| 申请号： | 201711382285.X | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108054248A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型GaN基LED的制备方法。该制备方法包括：在蓝宝石衬底上制备包括GaN的蓝光材料；刻蚀所述蓝光材料形成多个紫外光灯芯槽；在所述多个紫外光灯芯槽中分别制备包括GaN的紫外光材料；在所述蓝光材料和所述紫外光材料表面制备导电衬底；去除所述蓝宝石衬底；分别制备阳极电极和阴极电极，以完成所述新型GaN基LED的制备。本发明将GaN外延片从蓝宝石衬底转移到具有良好电、热导特性的衬底材料上，可以提升器件的散热效率，延长器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 gan led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型GaN基LED的制备方法，其特征在于，包括：在蓝宝石衬底上制备包括GaN的蓝光材料；刻蚀所述蓝光材料形成多个紫外光灯芯槽；在所述多个紫外光灯芯槽中分别制备包括GaN的紫外光材料；在所述蓝光材料和所述紫外光材料表面制备导电衬底；去除所述蓝宝石衬底；分别制备阳极电极和阴极电极，以完成所述新型GaN基LED的制备。
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