[发明专利]新型GaN基LED的制备方法

权利要求书

1.一种新型GaN基LED的制备方法，其特征在于，包括：

在蓝宝石衬底上制备包括GaN的蓝光材料；

刻蚀所述蓝光材料形成多个紫外光灯芯槽；

在所述多个紫外光灯芯槽中分别制备包括GaN的紫外光材料；

在所述蓝光材料和所述紫外光材料表面制备导电衬底；

去除所述蓝宝石衬底；

分别制备阳极电极和阴极电极，以完成所述新型GaN基LED的制备。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在蓝宝石衬底上制备包括GaN的蓝光材料，包括：

在所述蓝宝石衬底上生长第一GaN缓冲层；

在所述第一GaN缓冲层上生长第一GaN稳定层；

在所述第一GaN稳定层上生长第一n型GaN层；

在所述第一n型GaN层上生长第一有源层；

在所述第一多量子阱层上生长第一AlGaN阻挡层；

在所述第一AlGaN阻挡层上生长第一p型GaN层，以完成所述蓝光材料的制备。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一n型GaN层上生长第一有源层，包括：

在所述第一n型GaN层上依次周期层叠生长GaN势垒层和InGaN量子阱层；其中，所述GaN势垒层和InGaN量子阱层的层叠周期为8～30，所述InGaN量子阱层中的In含量为10～20％。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述蓝光材料形成多个紫外光灯芯槽，包括：

利用PECVD工艺在所述蓝光材料表面淀积氧化层；

利用刻蚀工艺在所述氧化层中刻蚀多个矩形窗口；

利用刻蚀工艺刻蚀所述多个矩形窗口下的所述蓝光材料形成所述紫外光灯芯槽。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述紫外光灯芯槽中制备包括GaN的紫外光材料，包括：

在所述紫外光灯芯槽中生长第二GaN缓冲层；

在所述第二GaN缓冲层上生长第二GaN稳定层；

在所述第二GaN稳定层上生长第二n型GaN层；

在所述第二n型GaN层上生长第二有源层；

在所述第二多量子阱层上生长第二AlGaN阻挡层；

在所述第二AlGaN阻挡层上生长第二p型GaN层，以完成所述紫外光材料的制备。

6.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述第二n型GaN层上生长第二有源层，包括：

在所述第二n型GaN层上依次周期层叠生长Al1-yGayN势垒层和Al1-xGaxN量子阱层；其中，所述Al1-yGayN势垒层和所述Al1-xGaxN量子阱层的层叠周期为8～30，所述Al1-xGaxN量子阱层中的Al含量为10～50％。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述蓝光材料和所述紫外光材料表面制备导电衬底之前，还包括：

利用溅射或者蒸发的工艺在所述蓝光材料和所述紫外光材料表面分别制备金属电极层和反光层。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述蓝宝石衬底之后，还包括：

利用光刻工艺在在所述蓝光材料和所述紫外光材料背面进行表面粗化。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，制备阴极电极，包括：

在表面粗化后的所述蓝光材料上制备第一阴极电极，在表面粗化后的所述紫外光材料上制备第二阴极电极。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备阳极电极，包括：

利用溅射或者蒸发的工艺在所述导电衬底上制备金属Al或者Ni，刻蚀后形成所述阳极电极。