[发明专利]新型基于GaN的LED器件结构在审
| 申请号： | 201711382263.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108054257A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型基于GaN的LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底410；第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；金属电极层407，设置于第一反光层408上；第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；阳极电极56，设置于所述导电衬底410下。本发明通过将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 基于 gan led 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种新型基于GaN的LED器件结构，其特征在于，包括：导电衬底(410)；第二反光层(409)，设置于所述导电衬底(410)上；第一反光层(408)，设置于所述第二反光层(409)上；金属电极层(407)，设置于第一反光层(408)上；第一GaN蓝光外延层(10A)、GaN黄光外延层(20)、GaN绿光外延层(30)、GaN红光外延层(40)以及第二GaN蓝光外延层(10B)，依次横向排列且设置于所述金属电极层(407)上；阳极电极(56)，设置于所述导电衬底(410)下。
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