[发明专利]新型基于GaN的LED器件结构

权利要求书

1.一种新型基于GaN的LED器件结构，其特征在于，包括：

导电衬底(410)；

第二反光层(409)，设置于所述导电衬底(410)上；

第一反光层(408)，设置于所述第二反光层(409)上；

金属电极层(407)，设置于第一反光层(408)上；

第一GaN蓝光外延层(10A)、GaN黄光外延层(20)、GaN绿光外延层(30)、GaN红光外延层(40)以及第二GaN蓝光外延层(10B)，依次横向排列且设置于所述金属电极层(407)上；

阳极电极(56)，设置于所述导电衬底(410)下。

2.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述导电衬底(410)为掺杂Si片、铝板或者铜板。

3.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述金属电极层(407)的材料为金属Ni或者金属Au。

4.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述第一GaN蓝光外延层(10A)和所述第二GaN蓝光外延层(10B)材料相同均包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN层(106)；其中，所述第一有源层(104)包括依次周期性层叠分布的第一GaN势垒层(104a)和第一InGaN量子阱层(104b)。

5.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN黄光外延层(20)包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二有源层(204)包括依次周期性层叠分布的第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)。

6.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN绿光外延层(30)包括第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三有源层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)；其中，所述第三有源层(304)包括依次周期性层叠分布的第三GaN势垒层(304a)和第三nGaN量子阱层(304b)。

7.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述GaN红光外延层(40)包括第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)；其中，所述第四有源层(404)包括依次周期性层叠分布的GalnP势垒层(404a)和A1GaInP量子阱层(404b)。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括第一阴极电极(51)、第二阴极电极(52)、第三阴极电极(53)、第四阴极电极(54)以及第五阴极电极(55)，其中，所述第一阴极电极(51)设置于所述第一GaN蓝光外延层(10A)上，所述第二阴极电极(52)设置于所述GaN黄光外延层(20)上，所述第三阴极电极(53)设置于所述GaN绿光外延层(30)上，所述第四阴极电极(54)设置于所述GaN红光外延层(40)上，所述第五阴极电极(55)设置于所述第二GaN蓝光外延层(10B)上。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括第一隔离层(12)、第二隔离层(12)、第三隔离层(22)、第四隔离层(32)，其中，所述第一隔离层(12)设置于所述GaN黄光外延层(20)的四周，所述第二隔离层(22)设置于所述GaN绿光外延层(30)的四周，所述第三隔离层(32)设置于所述GaN红光外延层(40)的四周，所述第四隔离层(42)设置于所述第二GaN蓝光外延层(10B)的四周。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阳极电极(56)为整个器件的共用电极。