[发明专利]摄像头的芯片组件的制造方法、摄像头及电子设备有效
申请号: | 201711377334.0 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108172588B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 韦怡;范宇;李龙佳;龚江龙 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种摄像头的芯片组件的制造方法、摄像头及电子设备,其中摄像头的芯片组件的制造方法包括:芯片;基板,基板和芯片层叠设置;用于芯片封装至基板的封装部,封装部包括支撑部和滤光片,制造方法包括如下步骤:将芯片设于基板;选取滤光片;在滤光片上涂覆胶水,以形成刻蚀层,刻蚀层包括第一部分和第二部分,第二部分被构造成支撑部,支撑部将芯片封装至基板;利用刻蚀工艺对刻蚀层刻蚀,第一部分被刻蚀后与其对应的滤光片露出;对支撑部的与通光通道对应的表面加工以形成粗糙面。根据本申请的摄像头的芯片组件的制造方法,增强了封装部的结构强度,减小了芯片组件的整体高度,减弱了入射到芯片上的杂光,增强了对图像的处理效果。 | ||
搜索关键词: | 摄像头 芯片 组件 制造 方法 电子设备 | ||
芯片(11);
基板(12),所述基板(12)和所述芯片(11)层叠设置,所述基板(12)位于所述芯片(11)的一侧;
用于所述芯片(11)封装至所述基板(12)的封装部(13),所述封装部(13)包括支撑部(132)和滤光片(131),所述支撑部(132)具有通光通道,所述滤光片(131)与所述支撑部(132)连接,且所述滤光片(131)位于所述通光通道内,所述滤光片(131)位于所述芯片(11)的另一侧,所述滤光片(131)与所述芯片(11)之间具有间隙,所述支撑部(132)的与所述通光通道对应的表面为粗糙面,所述制造方法包括如下步骤:
将所述芯片(11)设于所述基板(12);
选取所述滤光片(131);
在所述滤光片(131)上涂覆胶水,以形成刻蚀层,所述刻蚀层包括第一部分和第二部分,所述第二部分被构造成所述支撑部(132),所述支撑部(132)将所述芯片(11)封装至所述基板(12);
利用刻蚀工艺对所述刻蚀层刻蚀,所述第一部分被刻蚀后与其对应的滤光片(131)露出,所述第二部分未被刻蚀;
对所述支撑部(132)的与所述通光通道对应的表面加工以形成粗糙面。
2.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,利用打磨、喷砂或电火花工艺加工所述粗糙面。3.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述刻蚀层为两层,其中一层设于所述滤光片(131)的上表面,另一层设于所述滤光片(131)的下表面。4.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,在刻蚀工艺后,利用纳米压印工艺对所述第二部分加工形成所述支撑部(132)。5.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述基板(12)上设有电器元件(14),所述电器元件(14)封装于所述封装部(13)内。6.根据权利要求5所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述滤光片(131)的边缘的至少部分超出所述芯片(11)的边缘。7.根据权利要求6所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述电器元件(14)位于所述基板(12)和所述滤光片(131)之间。8.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述封装部(13)由具有粘性的材料制成的粘性封装部(13)。9.根据权利要求1所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法,其特征在于,所述滤光片(131)的通光区域为工作区,其余部分为非工作区,所述滤光片(131)的位于所述非工作区内的表面涂覆粘性层。10.一种摄像头(100),其特征在于,包括:镜片组件(2);和
芯片组件(1),所述芯片组件(1)利用根据权利要求1‑9中任一项所述的摄像头(100)的芯片组件(1)的制造方法制造,所述芯片组件(1)位于所述镜片组件(2)的下方,所述芯片组件(1)与所述镜片组件(2)连接。
11.一种电子设备(1000),其特征在于,包括:摄像头(100),所述摄像头(100)为根据权利要求10所述的摄像头(100)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的