[发明专利]摄像头的芯片组件的制造方法、摄像头及电子设备有效
申请号: | 201711377334.0 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108172588B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 韦怡;范宇;李龙佳;龚江龙 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像头 芯片 组件 制造 方法 电子设备 | ||
本申请公开了一种摄像头的芯片组件的制造方法、摄像头及电子设备,其中摄像头的芯片组件的制造方法包括:芯片;基板,基板和芯片层叠设置;用于芯片封装至基板的封装部,封装部包括支撑部和滤光片,制造方法包括如下步骤:将芯片设于基板;选取滤光片;在滤光片上涂覆胶水,以形成刻蚀层,刻蚀层包括第一部分和第二部分,第二部分被构造成支撑部,支撑部将芯片封装至基板;利用刻蚀工艺对刻蚀层刻蚀,第一部分被刻蚀后与其对应的滤光片露出;对支撑部的与通光通道对应的表面加工以形成粗糙面。根据本申请的摄像头的芯片组件的制造方法,增强了封装部的结构强度,减小了芯片组件的整体高度,减弱了入射到芯片上的杂光,增强了对图像的处理效果。
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域,尤其涉及一种摄摄像头的芯片组件的制造方法、摄像头及电子设备。
背景技术
相关技术中,摄像头组件在封装时,首先将芯片通过模具注塑的方式封装在基板上,然后在注塑件上进行画胶,最后把滤光片粘合在基板上,此过程芯片、基板以及滤光片采用单独封装。封装后摄像头组件在外力冲击下,容易出现分层脱落,且封装过程的误差较大。此外,注塑模具底座的内表面较为光滑,使得使用摄像头组件拍照时,光线可镜面反射到芯片上,进而入射到芯片上的杂光能量较多,容易出现眩光鬼影,影响拍照效果。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种摄像头的芯片组件的制造方法,所述摄像头的芯片组件的制造方法制造的摄像头整体尺寸较小,可有效减少杂光能量。
本申请还提出一种摄像头,所述摄像头包括利用上述摄像头的芯片组件的制造方法制造的芯片组件。
本申请还提出一种电子设备,所述电子设备包括上述摄像头。
根据本申请实施例的摄像头的芯片组件的制造方法,包括:芯片;基板,所述基板和所述芯片层叠设置,所述基板位于所述芯片的一侧;用于所述芯片封装至所述基板的封装部,所述封装部包括支撑部和滤光片,所述支撑部具有通光通道,所述滤光片与所述支撑部连接,且所述滤光片位于所述通光通道内,所述滤光片位于所述芯片的另一侧,所述滤光片与所述芯片之间具有间隙,所述支撑部的与所述通光通道对应的表面为粗糙面,所述制造方法包括如下步骤:将所述芯片设于所述基板;选取所述滤光片;在所述滤光片上涂覆胶水,以形成刻蚀层,所述刻蚀层包括第一部分和第二部分,所述第二部分被构造成所述支撑部,所述支撑部将所述芯片封装至所述基板;利用刻蚀工艺对所述刻蚀层刻蚀,所述第一部分被刻蚀后与其对应的滤光片露出,所述第二部分未被刻蚀;对所述支撑部的与所述通光通道对应的表面加工以形成粗糙面。
根据本申请实施例的摄像头的芯片组件的制造方法,通过在滤光片的表面涂覆胶水,并对胶水层进行刻蚀处理,使得支撑部和滤光片形成为一体件,从而增强封装部的结构强度,提高了装配的效率,减小了芯片组件的整体高度,使得摄像头小型化。此外,支撑部的与通光通道对应的表面为粗糙面,进而入射到粗糙面的光线由镜面反射转变为漫反射,减弱入射到芯片上的杂光能量,增强芯片对图像的处理效果。
根据本申请实施例的摄像头,包括:镜片组件;和利用上述摄像头的芯片组件的制造方法制造的芯片组件,所述芯片组件位于所述镜片组件的下方,所述芯片组件与所述镜片组件连接。
根据本申请实施例的摄像头,通过在滤光片的表面涂覆胶水,并对胶水层进行刻蚀处理,使得支撑部和滤光片形成为一体件,从而增强封装部的结构强度,提高了装配的效率,减小了芯片组件的整体高度,使得摄像头小型化。此外,支撑部的与通光通道对应的表面为粗糙面,进而入射到粗糙面的光线由镜面反射转变为漫反射,减弱入射到芯片上的杂光能量,增强芯片对图像的处理效果。
根据本申请实施例的电子设备,包括上述摄像头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的