[发明专利]二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片有效
| 申请号： | 201711376745.8 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108325540B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 何军;张玉 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | B01J27/047 | 分类号： | B01J27/047;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;王文红 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出一种二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片，其生长于基底表面，从基底向上的第一层为单层的二硫化钨层，二硫化钨层上方至少部分覆盖有二硫化铌层，二硫化铌层的厚度为4‑6nm。本发明还提出所述二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片的制备和应用。本发明提出的NbS |
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| 搜索关键词： | 硫化 铌异质结 纳米 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片，其特征在于，生长于基底表面，从基底向上的第一层为单层的二硫化钨层，二硫化钨层上方至少部分覆盖有二硫化铌层，二硫化铌层的厚度为4～6nm。
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