[发明专利]BN溅射模板、正装LED元器件的制造方法在审
申请号: | 201711372754.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108198917A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 段瑞飞;王晓东;陈皓;曾一平 | 申请(专利权)人: | 北京中科优唯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制造BN模板的方法,包括底层和生长在底层上的模板层,模板使用溅射系统在底层上生长,与底层一起作为功能层,可以用于制备各种光电子或者微电子功能材料。 | ||
搜索关键词: | 功能材料 溅射系统 模板使用 生长 功能层 模板层 溅射 正装 光电子 制备 微电子 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制造BN模板的方法,其特征在于:所述方法包括,步骤001:制备好基底材料并保证清洁;所述基底层,用于支撑和生长溅射BN;所述基底层,是蓝宝石衬底、Si衬底、石英衬底、SiC衬底;或者用于光电子、微电子等的功能结构材料,如LED、LD、HEMT、FET等。步骤002:使用溅射系统在基底上生长一层BN薄膜,得到外延片;其中所述溅射系统,是磁控溅射或反应离子溅射,在溅射系统中溅射生长BN薄膜时,通过控制所述溅射系统的B、N的比例,实现富B生长,富N生长或者恰好化学配比生长;步骤003:取出外延片,将带有BN的基底材料用于进一步的加工;所述进一步的加工包括,进行表面氧化、选择性钝化、腐蚀等处理方法,中的一种或多种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科优唯科技有限公司,未经北京中科优唯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711372754.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED光源点胶装置
- 下一篇:具有衬底中的散射特征的LED