[发明专利]BN溅射模板、正装LED元器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造BN模板的方法，其特征在于：

所述方法包括，

步骤001：制备好基底材料并保证清洁；

所述基底层，用于支撑和生长溅射BN；所述基底层，是蓝宝石衬底、Si衬底、石英衬底、SiC衬底；或者用于光电子、微电子等的功能结构材料，如LED、LD、HEMT、FET等。

步骤002：使用溅射系统在基底上生长一层BN薄膜，得到外延片；

其中所述溅射系统，是磁控溅射或反应离子溅射，在溅射系统中溅射生长BN薄膜时，通过控制所述溅射系统的B、N的比例，实现富B生长，富N生长或者恰好化学配比生长；

步骤003：取出外延片，将带有BN的基底材料用于进一步的加工；

所述进一步的加工包括，进行表面氧化、选择性钝化、腐蚀等处理方法，中的一种或多种。

2.一种正装LED元器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤001：利用MOCVD外延材料手段制备好除p型层以外的深紫外LED结构材料，所述深紫外LED结构材料包括衬底、缓冲层、n型层和多量子阱有源层，保证清洁和未被氧化；

步骤002：将准备好的所述结构材料放到溅射系统中，生长一层合适厚度的BN薄膜，得到外延片；其中所述溅射系统，是磁控溅射或反应离子溅射，在溅射系统中溅射生长BN薄膜时，通过控制所述溅射系统的B、N的比例，实现富B生长，富N生长或者恰好化学配比生长；

步骤003：取出外延片，进行LED器件的加工，制作正装深紫外LED元器件。