[发明专利]半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711362504.8 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108110044A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括有源区、位于所述有源区外围的分压区域及位于所述分压区域外围的划片道，所述划片道包括硅基体、形成于所述硅基体表面的沟槽、及形成于所述沟槽内侧的所述硅基体表面的N型注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体功率器件 硅基体 划片道 分压 源区 外围 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其特征在于：所述半导体功率器件包括有源区、位于所述有源区外围的分压区域及位于所述分压区域外围的划片道，所述划片道包括硅基体、形成于所述硅基体表面的沟槽、及形成于所述沟槽内侧的所述硅基体表面的N型注入区。
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