[发明专利]半导体功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于：所述半导体功率器件包括有源区、位于所述有源区外围的分压区域及位于所述分压区域外围的划片道，所述划片道包括硅基体、形成于所述硅基体表面的沟槽、及形成于所述沟槽内侧的所述硅基体表面的N型注入区。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述沟槽的深度大于所述有源区的P型体区或N型体区的深度。

3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述沟槽的深度在1um-5um的范围内。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：从平面上看，所述划片道的硅基体表面分为所述沟槽所在的沟槽区域及非沟槽区域，所述沟槽区域包围所述非沟槽区域，所述非沟槽区域包括多个独立设置的子区域，所述多个子区域均匀分布。

5.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于：所述子区域为正方形、圆形、或正六边形。

6.一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：

提供具有有源区、位于有源区外围的分压区及位于所述分压区外围的划片道的半导体功率器件半成品，所述有源区具有有源结构及接触孔，在所述有源区、所述分压区及所述划片道表面形成光刻胶，其中所述有源区及所述分压区表面被完全覆盖所述光刻胶，所述划片道表面的光刻胶包括多个独立的子部分，所述多个子部分外围为所述光刻胶的开口区域；

利用所述开口区域对所述划片道的硅基体进行刻蚀，从而在所述硅基体表面形成沟槽；

利用所述沟槽对所述硅基体进行N型离子注入；

去除所述光刻胶，进行快速热退火，从而在所述沟槽内侧的硅基体表面形成N型注入区；

在所述有源区形成金属层，所述金属层通过所述接触孔连接所述有源结构。

7.如权利要求6所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述N型离子注入的注入离子包括氢、磷、砷中的一种、两种或三种；所述N型离子注入为单独一种离子注入或复合离子注入；所述N型离子注入的能量在50KeV至100KeV的范围内；所述N型离子注入的剂量在3E15至8E15的范围内。

8.如权利要求6所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述快速热退火在惰性气体的气氛下，850摄氏度的退火温度，退火时间在10-15分钟的范围内。

9.如权利要求8所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述惰性气体为N2或Ar。

10.如权利要求6所述的半导体功率器件的制作方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度在1um-10um的范围内。