[发明专利]一种面向第三代半导体材料的加工装置

摘要

一种面向第三代半导体材料的加工装置，包括反应装置、操作台和支撑装置；反应装置的内部为反应腔，且上下两端盖有上盖和下盖；反应腔的侧壁设有刻蚀液注入口和刻蚀液排出口；反应腔内部设有搅拌励磁线圈、导电棒、加热棒、密封圈和工件；搅拌励磁线圈安装于上盖的正下方；导电棒和加热棒分别呈圆周对称紧贴于反应腔的腔壁内；密封圈设有两件，安装于反应腔的底部，并且密封圈套接于下盖内；工件安装于两个密封圈之间；上盖的中间开设有第一通孔；反应腔的底部、密封圈和下盖的中间均开设有同轴度的第二通孔；本发明提出的加工装置，克服难以高效地在第三代半导体材料上加工出规则的纳米微结构的问题，实现第三代半导体材料高效可控加工。

主权项

1.一种面向第三代半导体材料的加工装置，其特征在于：包括反应装置、操作台和支撑装置；所述反应装置为圆柱形盒体，该圆柱形盒体内部为反应腔，并且所述圆柱形盒体的上下两端盖有上盖和下盖；所述反应腔的侧壁设置有刻蚀液注入口和刻蚀液排出口，所述刻蚀液注入口位于所述刻蚀液排出口上方，所述刻蚀液排出口与所述反应腔底部平面相切；所述反应腔的内部还设置有搅拌励磁线圈、导电棒、加热棒、密封圈和工件；所述搅拌励磁线圈安装于所述上盖的正下方；所述导电棒和所述加热棒分别呈圆周对称紧贴安装于所述反应腔的腔壁内，并且相互间隔分布；所述密封圈设有两件，安装于所述反应腔的底部，并且所述密封圈通过所述下盖内面对应开设的卡槽套接于所述下盖内；所述工件安装于两个所述密封圈之间；所述上盖的中间开设有第一通孔；所述反应腔的底部、所述密封圈和所述下盖的中间均开设有同轴度的第二通孔；所述反应装置竖直安装于所述支撑装置的中部，并且由其两端的第一通孔、第二通孔与所述操作台电气连接。