[发明专利]一种面向第三代半导体材料的加工装置有效
申请号: | 201711351566.9 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN107910284B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 陈云;陈新;麦锡全;高健;汪正平;杨海东 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学;佛山市南海区广工大数控装备协同创新研究院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 史亮亮 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面向 第三代 半导体材料 加工 装置 | ||
1.一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:包括反应装置、操作台和支撑装置;所述反应装置为圆柱形盒体,该圆柱形盒体内部为反应腔,并且所述圆柱形盒体的上下两端盖有上盖和下盖;
所述反应腔的侧壁设置有刻蚀液注入口和刻蚀液排出口,所述刻蚀液注入口位于所述刻蚀液排出口上方,所述刻蚀液排出口与所述反应腔底部平面相切;
所述反应腔的内部还设置有搅拌励磁线圈、导电棒、加热棒、密封圈和工件;所述搅拌励磁线圈安装于所述上盖的正下方;所述导电棒和所述加热棒分别呈圆周对称紧贴安装于所述反应腔的腔壁内,并且相互间隔分布;所述密封圈设有两件,安装于所述反应腔的底部,并且所述密封圈通过所述下盖内面对应开设的卡槽套接于所述下盖内;所述工件安装于两个所述密封圈之间;
所述上盖的中间开设有第一通孔;所述反应腔的底部、所述密封圈和所述下盖的中间均开设有同轴度的第二通孔;所述反应装置竖直安装于所述支撑装置的中部,并且由其两端的第一通孔、第二通孔与所述操作台电气连接。
2.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述反应装置还设置有检查调节装置,所述检查调节装置包括离子浓度器、恒温调节器和液面高度检查器,三者沿轴中心对称安装于所述反应腔的内壁上,并且相互间隔分布。
3.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述支撑装置包括支撑架、上夹板、下夹板和螺栓连接件;所述上夹板安装于所述支撑架的顶部,且上夹板的中部开设有安装通孔,所述反应装置固定安装于所述安装通孔内;所述下夹板通过所述螺栓连接件安装于所述上夹板的下方;所述下盖连接于所述下夹板的上表面。
4.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:任意一个所述密封圈内嵌有八个压力传感器,所述压力传感器呈圆周对称分布,并通过电气连接于所述操作台;所述密封圈两端面的平整度<0.01mm。
5.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述反应腔为有机玻璃材料,且内壁涂覆有聚四氟乙烯涂层;所述反应腔的直径为2寸~12寸,且外壁标有刻度;所述反应装置的各组件的表面均涂覆有聚四氟乙烯涂层。
6.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述反应腔内部还设置有若干个表面涂覆有聚四氟乙烯涂层的磁石。
7.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述上盖还设置有双向排气装置,所述双向排气装置呈圆周分布于所述第一通孔的外侧。
8.根据权利要求1所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述操作台是由直流电源发生器、可视化的屏幕和PLC集成控制系统组成的可视化控制平台。
9.根据权利要求8所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述导电棒和加热棒为铂或金耐氢氟酸导电材料;所述导电棒设有四件,且与所述直流电源发生器的正极电气连接;所述加热棒设有四件,且与所述操作台电气连接。
10.根据权利要求8所述的一种面向第三代半导体材料的加工装置,其特征在于:所述工件的尺寸小于所述密封圈的尺寸,且所述工件的底部与所述直流电源发生器的负极电气连接;所述工件为碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)的第三代半导体材料中的任意一种;所述直流电源发生器的输出电压范围为0~60V。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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