[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置在审

专利信息
申请号: 201711350580.7 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109935386A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 刘伟;唐彬 申请(专利权)人: 南昌欧菲光学技术有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H05K9/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 石佩
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜,包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层,高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置,且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层,高阻膜的方块阻抗为105~1012Ω/□,相同厚度的高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的高阻膜的方块阻抗,相同厚度的低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的高阻膜的方块阻抗。高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置,且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层,从而可以得到阻抗介于高阻抗层与低阻抗层之间的高阻膜。该多层复合结构的高阻膜可以用于替代具有与其具有相同阻抗的单层高阻膜,例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。
搜索关键词: 高阻 阻抗 高阻抗层 低阻抗层 电子装置 交错层叠 复合膜 两层 多层复合结构 铟锡氧化物膜 二氧化锡膜 氧化锌膜 阻抗层 替代
【主权项】:
1.一种高阻膜,其特征在于,包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层,所述高阻抗层与所述低阻抗层交错层叠设置,且位于所述高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层,所述高阻膜的方块阻抗为105~1012Ω/□,相同厚度的所述高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的所述高阻膜的方块阻抗,相同厚度的所述低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的所述高阻膜的方块阻抗。
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