[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置

说明书

本发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜，包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层，高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□，相同厚度的高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的高阻膜的方块阻抗，相同厚度的低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的高阻膜的方块阻抗。高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，从而可以得到阻抗介于高阻抗层与低阻抗层之间的高阻膜。该多层复合结构的高阻膜可以用于替代具有与其具有相同阻抗的单层高阻膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。

技术领域

本发明涉及电子产品技术领域，特别是涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。

背景技术

具有高阻抗特性的高阻膜用途广泛，可以应用于电子装置中，当高阻膜接地后，可以为电子装置屏蔽静电，也可以应用于液晶显示器(液晶显示器为众多电子装置中的一种)中，作为控制元件，控制某些方向导通，某些方向断开，还可以作为电极。但是目前高阻抗的高阻膜的来源单一。

发明内容

基于此，有必要提供一种具有高阻抗特性的高阻膜、复合膜及电子装置。

一种高阻膜，包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层，所述高阻抗层与所述低阻抗层交错层叠设置，且位于所述高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，所述高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□，相同厚度的所述高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的所述高阻膜的方块阻抗，相同厚度的所述低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的所述高阻膜的方块阻抗。

高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，从而可以得到阻抗介于高阻抗层与低阻抗层之间的高阻膜。该多层复合结构的高阻膜可以用于替代具有与其具有相同阻抗的单层高阻膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。特别是，当需要的目标阻抗只能由某一价格昂贵的物质提供时，而且这种价格昂贵的物质还为稀缺物质(例如，铟)时，其储存量越来越少，且逐步趋于枯竭时，采用该多层复合结构的高阻膜替代可以降低成本，避免资源枯竭。

在其中一个实施例中，所述高阻膜的阻抗为10⁶～10⁸Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜具有相对较好的导电性能，例如，将高阻膜用于控制某些方向导通，某些方向断开时，或者用于进行脉冲信号传递等，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜11的方块阻抗优选为10⁶～10⁸Ω/□。

在其中一个实施例中，所述高阻膜的方块阻抗为10⁹～10¹¹Ω/□。在一些应用场景中，需要高阻膜具有相对较高的方块阻抗，例如，将高阻膜用于屏蔽静电，此时，为了兼顾导电性能与阻抗性能，高阻膜的方块阻抗优选为10⁹～10¹¹Ω/□。

在其中一个实施例中，所述高阻抗层由导电金属氧化物构成。如此，高阻抗层不仅具有高阻抗的特性，还具有导电的特性。

在其中一个实施例中，所述高阻抗层由绝缘氧化物构成。如此，高阻抗层具有高阻抗的特性。

在其中一个实施例中，所述高阻抗层包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得方块阻抗比导电金属氧化物自身方块阻抗更高的高阻抗层。也即高阻抗层的方块阻抗介于导电金属氧化物的方块阻抗与绝缘氧化物的方块阻抗之间。如此，高阻抗层不仅具有高阻抗的特性，还具有导电的特性。