[发明专利]具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法有效
| 申请号： | 201711350056.X | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109427873B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈彦廷;许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括：接收具有衬底、位于衬底上方的栅极沟槽以及位于衬底上方并围绕栅极沟槽的介电层的结构。该方法还包括在栅极沟槽中形成栅极介电层、在栅极沟槽中并且在栅极介电层上方形成阻挡层以及处理阻挡层以使阻挡层的外表面粗糙，得到处理的阻挡层。该方法还包括在处理的阻挡层上方形成n型功函金属层。本发明实施例涉及具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粗糙 阻挡 金属 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：接收具有衬底、位于所述衬底上方的栅极沟槽和位于所述衬底上方并且围绕所述栅极沟槽的介电层的结构；在所述栅极沟槽中形成栅极介电层；在所述栅极沟槽中并且在所述栅极介电层上方形成阻挡层；处理所述阻挡层以使所述阻挡层的外表面粗糙，得到处理的阻挡层；以及在所述处理的阻挡层上方形成n型功函金属层。
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