[发明专利]一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201711330587.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108117403A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;饶志远 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/84 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温等优点。该复合材料包括超长SiC纳米线和SiC陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍裂解，该制备方法可以制备复杂构件，制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 陶瓷基复合材料 预制件 陶瓷基体 先驱体浸渍裂解 空间网状结构 制备方法工艺 复杂构件 设备要求 复合材料 耐高温 自交联 浸渗 填充 缠绕 生长 环保 | ||
【主权项】：
一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料，其特征在于，包括SiC纳米线，SiC陶瓷基体；所述的SiC纳米线通过原位生长自交联组成均匀的空间网格结构的预制体，所述SiC陶瓷基体填充于SiC纳米线的孔隙之中，所述SiC陶瓷基体质量占复合材料的60％‑70％。
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