[发明专利]一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法在审
申请号: | 201711307683.5 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN108133889A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 王斌;贺贤汉;戴洪兴;张学伍;张恩荣 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/50 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾雯 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法,利用氮化铝未经氧化处理不会与铜片结合的特性,将氮化铝板作为烧结垫板材料,解决烧结垫板容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹不良问题;同时通过减小烧结垫板外形尺寸,解决原烧结垫板与铜片接触面积过大影响烧结工艺参数的问题。 | ||
搜索关键词: | 烧结 垫板 双面覆铜 陶瓷基板 铜片 烧结工艺参数 不良问题 氮化铝板 垫板材料 铜片表面 氧化处理 大影响 氮化铝 粘合 减小 | ||
【主权项】:
一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法,其特征在于:具体步骤如下:步骤一、将氮化铝板切割成氮化铝小圆板;步骤二、在第一氧化铝陶瓷板上开若干个尺寸略大的第二小圆孔形成开孔氧化铝陶瓷板;步骤三、在烧结炉传送带上放置第二氧化铝陶瓷板作为衬板,在第二氧化铝陶瓷板上放置步骤二所述的开孔氧化铝陶瓷板;步骤四、将步骤一所述的氮化铝小圆板放入开孔氧化铝陶瓷板的第二小圆孔内;步骤五、将步骤四所述的开孔氧化铝陶瓷板取走;步骤六、将第一片铜片先放在氮化铝小圆片上,陶瓷板基板放在铜片上面,再将第二片铜片放在陶瓷板基板上,进烧结炉内进行同时烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造