[发明专利]一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法在审
申请号: | 201711307683.5 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN108133889A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 王斌;贺贤汉;戴洪兴;张学伍;张恩荣 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/50 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾雯 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 垫板 双面覆铜 陶瓷基板 铜片 烧结工艺参数 不良问题 氮化铝板 垫板材料 铜片表面 氧化处理 大影响 氮化铝 粘合 减小 | ||
本发明提供一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法,利用氮化铝未经氧化处理不会与铜片结合的特性,将氮化铝板作为烧结垫板材料,解决烧结垫板容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹不良问题;同时通过减小烧结垫板外形尺寸,解决原烧结垫板与铜片接触面积过大影响烧结工艺参数的问题。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,涉及一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法。
背景技术
DBC双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结工艺为两面铜片和陶瓷板一次烧结完成:将第一片铜片先放在烧结垫板上,陶瓷板放在铜片上面,再将第二面铜片放在陶瓷板上进行烧结。烧结垫板常用Inconel,镍镉合金等耐高温金属材料做成网状或用Y2O3、MgO、SiC等陶瓷材料制成长条状垫在铜片下面,但用这些材料制成的烧结垫板在使用过程中存在一些问题:1.容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹,造成产品不良增加。2.与铜片接触面积过大,对烧结工艺参数造成影响,从而影响产品质量。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法,利用氮化铝未经氧化处理不会与铜片结合的特性,将氮化铝板作为烧结垫板材料,解决烧结垫板容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹不良问题;同时通过减小烧结垫板外形尺寸,解决原烧结垫板与铜片接触面积过大影响烧结工艺参数的问题。
本发明的技术方案是:一种双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的方法,具体步骤如下:
步骤一、将氮化铝板切割成氮化铝小圆板;
步骤二、在第一氧化铝陶瓷板上开若干个尺寸略大的第二小圆孔形成开孔氧化铝陶瓷板;
步骤三、在烧结炉传送带上放置第二氧化铝陶瓷板作为衬板,在第二氧化铝陶瓷板上放置步骤二所述的开孔氧化铝陶瓷板;
步骤四、将步骤一所述的氮化铝小圆板放入开孔氧化铝陶瓷板的第二小圆孔内;
步骤五、将步骤四所述的开孔氧化铝陶瓷板取走;
步骤六、将第一片铜片先放在氮化铝小圆片上,陶瓷板基板放在铜片上面,再将第二片铜片放在陶瓷板基板上,进烧结炉内进行同时烧结。
进一步的,第二小圆孔的直径比氮化铝小圆板的直径大2-4mm。
进一步的,步骤一所述氮化铝小圆板直径为Φ5~Φ15mm,厚度0.5~1.0mm。
进一步的,步骤二中,第一氧化铝陶瓷板上开4~6排第二小圆孔,每排开4~8个孔,孔直径为Φ8~Φ18mm。
本发明的有益效果是:
1、利用氮化铝未经氧化处理不会与铜片结合的特性,用氮化铝板作为垫板材料,解决其他材料制成的烧结垫板容易与铜粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹不良问题。
2、将氮化铝板切成小圆板垫在铜片下面,减少与铜片接触面积,从而减少垫板对烧结工艺参数的影响。
3、在氧化铝陶瓷板上切割比氮化铝小圆板尺寸略大的小圆孔,方便氮化铝小圆板的放置和定位,以提高生产效率。
附图说明
图1为开孔氧化铝陶瓷板的结构示意图;
图2为双面覆铜陶瓷基板两面同时烧结的结构示意图。
图中:1为氧化铝陶瓷板,2为铜片,3为传送带,4为氧化铝陶瓷板衬板,5为氮化铝小圆板,6为开孔氧化铝陶瓷板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造