[发明专利]裁切半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 201711306922.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108231677A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 汤友圣;张富程;黄震麟;陈文明;罗俊彦;刘国洲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底，上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜，以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外，上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 开口 中间开口 裁切 基底 切割胶带 芯片贴合 侧壁 薄膜贴合 薄膜 芯片 分割 | ||
【主权项】：
1.一种裁切半导体晶片的方法，包含：裁切一半导体晶片，以形成一第一开口，其中该半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于该切割胶带的一基底，该第一开口是形成于该基底的一上部；从该第一开口切穿该半导体晶片的该基底与该芯片贴合薄膜，以在该第一开口之下形成一中间开口并在该中间开口之下形成一第二开口，而将该半导体晶片分割成二个芯片；其中该中间开口的侧壁的斜率异于该第一开口及该第二开口的侧壁的斜率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
