[发明专利]裁切半导体晶片的方法

说明书

提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底，上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜，以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外，上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。

技术领域

本发明是关于半导体制程技术，特别是关于裁切半导体晶片的方法及所 制造的半导体芯片。

背景技术

半导体装置被使用在多种电子应用领域中，例如个人电脑、移动电话、 数码相机及其他电子设备。半导体装置通常通过在一半导体基底的上方沉积 绝缘层或介电层、导体层及半导体层的材料及使用微影对上述各层图形化的 一连串的步骤而制造，以在其上形成电路元件及构件。

半导体工业通过持续缩减最小特征尺寸，持续改善各种电子构件(例如： 晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集积密度，而将更多构件整合于一 特定面积。在某些应用中，这些较小的电子构件亦需要较小的封装体，其占 用的面积小于过去的封装体。

成形(singulation)可在半导体制造的不同阶段存在。在形成半导体装置及 互连结构之后，可将一半导体基底成形为多个个别的芯片。上述个别的芯片 可被分别封装于另一半导体基底而再被成形而形成一封装芯片。在一般被称 为晶片级封装的某些半导体制程中，在成形之前，先将具有所有的半导体装 置及互连结构的一半导体基底封装于另一基底。因此，在半导体制造的过程 中，可存在一或多次的成形。

尽管在执行一裁切制程的方法的方面，已有多种改善方案被发表，但是 从任何方面看都未完全满足需要。因此，需要提供改善裁切制程的解决方案， 以增加半导体晶片的制造良率。

发明内容

本公开的一实施例是提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切 一半导体晶片，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含一切割胶带 与通过一芯片贴合薄膜(die attach film；DAF)贴合于上述切割胶带的一基底， 上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切 穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜，以在上述第一开口之下 形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶 片分割成二个芯片。此外，上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及 上述第二开口的侧壁的斜率。

本公开的另一实施例是提供一种裁切半导体晶片的方法。上述方法包含 在一半导体晶片形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含：一切割胶带； 一基底，通过一芯片贴合薄膜(die attach film；DAF)贴合于上述切割胶带；及 一材料层，形成于上述基底的上方。还有，上述第一开口是形成于上述基底 的一上部。上述方法更包含在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中 间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外， 上述第一开口的侧壁与上述中间开口的侧壁具有不同的斜率。

本公开的又另一实施例是提供一种半导体芯片。上述半导体芯片包含： 一芯片贴合薄膜(die attach film；DAF)；一基底，具有一第一主要部分、一中 间部分及在上述芯片贴合薄膜上的一第二主要部分；以及一材料层，形成在 上述基底的一顶表面上。此外，上述中间部分的侧壁的斜率异于上述第一主 要部分及上述第二主要部分的侧壁的斜率，且上述第一主要部分的高度小于 上述第二主要部分的高度。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图附图完整公开。应注意的是，根据 本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或 缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1显示关于某些实施例的一半导体晶片的示意性的剖面图。