[发明专利]一种DBC基板背面研磨的方法在审
| 申请号： | 201711306894.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108133886A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周轶靓;贺贤汉;戴洪兴;孔德举 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为解决双面覆铜陶瓷基板表面高低不平不良问题，在涂散热涂层工艺之前增加机械研磨工艺，通过选用不同材质刷辊组合，提供一种DBC基板背面研磨的方法，对DBC基板背面铜面进行研磨和抛光，达到整平基板背面的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基板背面 研磨 陶瓷基板表面 研磨和抛光 不良问题 高低不平 机械研磨 散热涂层 刷辊组合 双面覆铜 基板背 铜面 整平 | ||
【主权项】：
一种DBC基板背面研磨的方法，应用于涂散热涂层工艺之前，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、设置硬刷辊一个，基板背面先经硬刷辊研磨一次；(1)硬刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；(2)背面铜面研磨量控制在10um～30um范围内；(3)硬刷辊目数：400～900#；电流：0.4～0.9A；步骤二、设置软刷辊三个，将基板背面再经软刷辊抛光三次；(1)软刷辊速度设置为1.0～2.0m/min；(2)软刷辊目数：200～600#；电流：0.6～1.2A；(3)抛光后粗糙度控制在Ra<2、Rz<16范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
