[发明专利]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。

主权项

一种晶硅/非晶硅异质结电池结构，包括硅衬底层（1）以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层（2）和硅衬底层下层的下本征非晶硅层（3），其特征在于：所述上本征非晶硅层（2）的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层（4）、受光面第二掺杂非晶硅层（5）和上TOC层（6），所述下本征非晶硅层（3）的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层（7）和下TOC层（8）。