[发明专利]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶硅/非晶硅异质结电池结构，包括硅衬底层（1）以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层（2）和硅衬底层下层的下本征非晶硅层（3），其特征在于：所述上本征非晶硅层（2）的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层（4）、受光面第二掺杂非晶硅层（5）和上TOC层（6），所述下本征非晶硅层（3）的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层（7）和下TOC层（8）。

2.按照权利要求1所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述受光面第一掺杂非晶硅层（4）和受光面第二掺杂非晶硅层（5）的厚度均为2-10 nm。

3.按照权利要求1或2所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述受光面第一掺杂非晶硅层（4）的禁带宽度为1.7-1.9 eV，所述受光面第二掺杂非晶硅层（5）的禁带宽度为1.5-1.7 eV。

4.按照权利要求3所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构，其特征在于：所述上本征非晶硅层（2）和下本征非晶硅层（3）的厚度均为5-15 nm，所述第三掺杂非晶硅层（7）的厚度为5-20 nm，所述上TOC层（6）和下TOC层（8）的厚度均为70-120 nm。

5.一种如权利要求1-4之一所述的晶硅/非晶硅异质结电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、对N型单晶硅片进行制绒处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子及进行表面清洁；

B、通过气相沉积制备正背面的上本征非晶硅层和下本征非晶硅层，上本征非晶硅层和下本征非晶硅层的厚度为5-15nm；

C、在下本征非晶硅层表面使用气相沉积制备n型非晶硅层，即第三掺杂非晶硅层，其厚度为5-20nm；

D、在上本征非晶硅层表面使用气相沉积制备两层p型掺杂非晶硅层，作为受光面，即第一掺杂非晶硅层（4）、第二掺杂非晶硅层（5），其厚度均为2-10 nm；

E、使用磁控溅射方法沉积上下TCO导电膜，厚度为70-120nm；

F、通过丝网印刷形成正背面银金属电极，主栅宽度为0.1-2mm，主栅数目为2-20，正背面银副栅线宽度为20-70μm，线数为80-250；

G、烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；

H、进行测试电池的电性能。

6.按照权利要求5所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法，其特征在于，使用等离子体增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积制备两层所述受光面掺杂非晶硅膜。

7.按照权利要求6所述的晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法，其特征在于：双层受光面非晶硅膜在一次工艺过程中完成，使用硅烷、氢气、掺杂气体反应生成。