[发明专利]一种中子辐射屏蔽复合材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711288303.8 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107880362A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 唐猷成 申请(专利权)人: 四川义结科技有限责任公司
主分类号: C08L23/06 分类号: C08L23/06;C08K5/544;C08K5/5425;C08K3/02
代理公司: 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51248 代理人: 陈康
地址: 610000 四川省成都市金牛*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种中子辐射屏蔽复合材料的制备方法,通过将超高分子量聚乙烯、高密度聚乙烯、聚乙烯蜡、硅烷偶联剂硼精粉加入高速混合器中,混合得到混合物;将所述混合物加入双螺杆挤出机中,采用挤出法生产,得到一种中子辐射屏蔽复合材料。本发明具有生产工艺简单,制造成本低、屏蔽性能好和机械强度大等特点。
搜索关键词: 一种 中子 辐射 屏蔽 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种中子辐射屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将超高分子量聚乙烯30~70份、高密度聚乙烯20~70份、聚乙烯蜡1~5份、硅烷偶联剂0.1~5份和硼精粉5~30份加入高速混合器中,在转速100~1000转/分钟下混合3~20分钟,得到混合物;将所述混合物加入双螺杆挤出机中,在170~280℃下挤出得到中子辐射屏蔽复合材料。
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