[发明专利]一种中子辐射屏蔽复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201711288303.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107880362A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 唐猷成 | 申请（专利权）人： | 四川义结科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08K5/544;C08K5/5425;C08K3/02 |
| 代理公司： | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51248 | 代理人： | 陈康 |
| 地址： | 610000 四川省成都市金牛*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中子 辐射 屏蔽 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种中子辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
将超高分子量聚乙烯30～70份、高密度聚乙烯20～70份、聚乙烯蜡1～5份、硅烷偶联剂0.1～5份和硼精粉5～30份加入高速混合器中，在转速100～1000转/分钟下混合3～20分钟，得到混合物；
将所述混合物加入双螺杆挤出机中，在170～280℃下挤出得到中子辐射屏蔽复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述超高分子量聚乙烯的黏均分子量为100～400万。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述高密度聚乙烯的黏均分子量为20～100万。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅烷偶联剂为KH550或KH570。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硼精粉为纳米级。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：对所述挤出得到的中子辐射屏蔽复合材料再次进行挤出或注塑加工，针对不同的挤出模具调整挤出工艺后可以生产超薄或异形截面材料。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：直接通过模具将所述挤出得到的中子辐射屏蔽复合材料挤出得到需要尺寸的产品。
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