[发明专利]一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201711285711.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107879739A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 肖谧;娄捷 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 程小艳 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Mg1‑xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)。先将MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5按Mg1‑xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)组成进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1100℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1220‑1280℃烧结，制得高性能镁钴锆铌系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f为70709.3GHz、介电常数为25.1803，谐振频率温度系数为‑46.0968ppm/℃的高性能微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁钴锆铌系 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷，其特征在于，其组成为Mg1‑xCoxZrNb2O8,其中0.02≤x≤0.10。
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