[发明专利]一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201711285711.8 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN107879739A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 肖谧;娄捷 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 程小艳 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镁钴锆铌系 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷,其特征在于,其组成为Mg1-xCoxZrNb2O8,其中0.02≤x≤0.10。
2.根据权利要求1所述的镁钴锆铌系微波介质陶瓷制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、将MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5原料,按化学式Mg1-xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)组成进行配料,将粉料放入球磨罐中,加入去离子水与氧化锆球,在球磨机上球磨6小时,得到球磨后粉料;
(2)、将上述步骤(1)中球磨后粉料置于110℃温度干燥箱中烘干,待原料干燥后,过40目筛,获得颗粒均匀的干燥粉料;
(3)、将上述步骤(2)中干燥粉料装入坩埚后置于高温炉中,在1100℃预烧2小时,得到预烧粉料;
(4)、在上述步骤(3)中预烧粉料放入球磨罐中,加入去离子水与氧化锆球,在球磨机上二次球磨6小时,并于110℃温度干燥箱中烘干;烘干后在陶瓷粉料中外加8%重量百分比的石蜡进行造粒,过60目筛,再用粉末压片机压制成型为坯体;
(5)、将上述步骤(4)中坯体于1220-1280℃烧结,保温4小时,制得镁钴锆铌系微波介质陶瓷。
3.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5原料的质量纯度均大于99.9%。
4.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中原料、去离子水与氧化锆球的质量比取2:16:15。
5.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中预烧粉料、去离子水与氧化锆球的质量比取2:16:15。
6.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)、步骤(4)中的球磨机为行星式球磨机。
7.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)化学式Mg1-xCoxZrNb2O8中x取值为0.02。
8.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中粉末压片机的压力为6Mpa。
9.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中坯体直径为10mm,厚度为5mm。
10.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中坯体的烧结温度取1260℃。
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