[发明专利]一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711285711.8 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107879739A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 肖谧;娄捷 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 程小艳
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 镁钴锆铌系 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷,其特征在于,其组成为Mg1-xCoxZrNb2O8,其中0.02≤x≤0.10。

2.根据权利要求1所述的镁钴锆铌系微波介质陶瓷制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)、将MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5原料,按化学式Mg1-xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)组成进行配料,将粉料放入球磨罐中,加入去离子水与氧化锆球,在球磨机上球磨6小时,得到球磨后粉料;

(2)、将上述步骤(1)中球磨后粉料置于110℃温度干燥箱中烘干,待原料干燥后,过40目筛,获得颗粒均匀的干燥粉料;

(3)、将上述步骤(2)中干燥粉料装入坩埚后置于高温炉中,在1100℃预烧2小时,得到预烧粉料;

(4)、在上述步骤(3)中预烧粉料放入球磨罐中,加入去离子水与氧化锆球,在球磨机上二次球磨6小时,并于110℃温度干燥箱中烘干;烘干后在陶瓷粉料中外加8%重量百分比的石蜡进行造粒,过60目筛,再用粉末压片机压制成型为坯体;

(5)、将上述步骤(4)中坯体于1220-1280℃烧结,保温4小时,制得镁钴锆铌系微波介质陶瓷。

3.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5原料的质量纯度均大于99.9%。

4.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中原料、去离子水与氧化锆球的质量比取2:16:15。

5.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中预烧粉料、去离子水与氧化锆球的质量比取2:16:15。

6.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)、步骤(4)中的球磨机为行星式球磨机。

7.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)化学式Mg1-xCoxZrNb2O8中x取值为0.02。

8.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中粉末压片机的压力为6Mpa。

9.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中坯体直径为10mm,厚度为5mm。

10.根据权利要求2的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中坯体的烧结温度取1260℃。

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