[发明专利]一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔在审
| 申请号： | 201711278864.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107910743A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 桂永雷;王世宁;邓从杰;孙力凯 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/0687 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 贾泽纯 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔，本发明涉及一种光学F‑P谐振腔。本发明要解决在半导体激光器所用的原子/分子光谱稳频系统中，原子/分子气室是核心的频率参考器件。制作微型气室的工艺复杂度高，制作比较困难，且这种气室在工作时需配备加热器及温度传感器，光路体积想进一步缩小比较困难，若激光频率产生跳变，这种稳频系统很难将激光频率拉回到原来的中心频率上的问题。光学F‑P谐振腔由第一二氧化硅基片、第二二氧化硅基片、第三二氧化硅基片、第四二氧化硅基片、第五二氧化硅基片、第六二氧化硅基片、第七二氧化硅基片组成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体激光器 光学 谐振腔 | ||
【主权项】：
一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔，其特征在于一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔由第一二氧化硅基片(1)、第二二氧化硅基片(2)、第三二氧化硅基片(3)、第四二氧化硅基片(4)、第五二氧化硅基片(5)、第六二氧化硅基片(6)、第七二氧化硅基片(7)组成；第一二氧化硅基片(1)的下表面设有第二二氧化硅基片(2)，且第一二氧化硅基片(1)与第二二氧化硅基片(2)错位排列，第二二氧化硅基片(2)位于第一二氧化硅基片(1)的右下方；第二二氧化硅基片(2)的下表面设有第三二氧化硅基片(3)，且第二二氧化硅基片(2)与第三二氧化硅基片(3)错位排列，第三二氧化硅基片(3)位于第二二氧化硅基片(2)的左下方；第三二氧化硅基片(3)的下表面设有第四二氧化硅基片(4)，且第三二氧化硅基片(3)与第四二氧化硅基片(4)错位排列，第四二氧化硅基片(4)位于第三二氧化硅基片(3)的左下方；第四二氧化硅基片(4)的下表面设有第五二氧化硅基片(5)，且第四二氧化硅基片(4)与第五二氧化硅基片(5)错位排列，第五二氧化硅基片(5)位于第四二氧化硅基片(4)的左下方，第五二氧化硅基片(5)的左端面与第一二氧化硅基片(1)的左端面为同一平面；第五二氧化硅基片(5)的下表面设有第六二氧化硅基片(6)，且第五二氧化硅基片(5)与第六二氧化硅基片(6)错位排列，第六二氧化硅基片(6)位于第五二氧化硅基片(5)的右下方，第六二氧化硅基片(6)的右端面与第二二氧化硅基片(2)的右端面为同一平面；第一二氧化硅基片(1)、第二二氧化硅基片(2)、第三二氧化硅基片(3)、第四二氧化硅基片(4)、第五二氧化硅基片(5)、第六二氧化硅基片(6)堆叠形成F‑P谐振腔；第七二氧化硅基片(7)密封F‑P谐振腔，且密封后的F‑P谐振腔内所有表面镀有反射膜(8)。
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