[发明专利]一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔

权利要求书

1.一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔由第一二氧化硅基片(1)、第二二氧化硅基片(2)、第三二氧化硅基片(3)、第四二氧化硅基片(4)、第五二氧化硅基片(5)、第六二氧化硅基片(6)、第七二氧化硅基片(7)组成；

第一二氧化硅基片(1)的下表面设有第二二氧化硅基片(2)，且第一二氧化硅基片(1)与第二二氧化硅基片(2)错位排列，第二二氧化硅基片(2)位于第一二氧化硅基片(1)的右下方；

第二二氧化硅基片(2)的下表面设有第三二氧化硅基片(3)，且第二二氧化硅基片(2)与第三二氧化硅基片(3)错位排列，第三二氧化硅基片(3)位于第二二氧化硅基片(2)的左下方；

第三二氧化硅基片(3)的下表面设有第四二氧化硅基片(4)，且第三二氧化硅基片(3)与第四二氧化硅基片(4)错位排列，第四二氧化硅基片(4)位于第三二氧化硅基片(3)的左下方；

第四二氧化硅基片(4)的下表面设有第五二氧化硅基片(5)，且第四二氧化硅基片(4)与第五二氧化硅基片(5)错位排列，第五二氧化硅基片(5)位于第四二氧化硅基片(4)的左下方，第五二氧化硅基片(5)的左端面与第一二氧化硅基片(1)的左端面为同一平面；

第五二氧化硅基片(5)的下表面设有第六二氧化硅基片(6)，且第五二氧化硅基片(5)与第六二氧化硅基片(6)错位排列，第六二氧化硅基片(6)位于第五二氧化硅基片(5)的右下方，第六二氧化硅基片(6)的右端面与第二二氧化硅基片(2)的右端面为同一平面；

第一二氧化硅基片(1)、第二二氧化硅基片(2)、第三二氧化硅基片(3)、第四二氧化硅基片(4)、第五二氧化硅基片(5)、第六二氧化硅基片(6)堆叠形成F-P谐振腔；

第七二氧化硅基片(7)密封F-P谐振腔，且密封后的F-P谐振腔内所有表面镀有反射膜(8)。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第一二氧化硅基片(1)厚度为10微米～500微米。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第二二氧化硅基片(2)厚度为10微米～500微米。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第三二氧化硅基片(3)厚度为10微米～500微米。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第四二氧化硅基片(4)厚度为10微米～500微米。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第五二氧化硅基片(5)厚度为10微米～500微米。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第六二氧化硅基片(6)厚度为10微米～500微米。

8.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器稳频的光学F-P谐振腔，其特征在于所述的第七二氧化硅基片(7)厚度为10微米～500微米。