[发明专利]肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET有效
| 申请号： | 201711269321.1 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109873039B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET，所述肖特基二极管包括：衬底，具有第二导电类型；阱区，设于所述衬底上，具有第一导电类型；第二导电类型掺杂区，设于所述阱区的上部；纵向结构，从所述第二导电类型掺杂区上方向下延伸、依次贯穿所述第二导电类型掺杂区、阱区至所述衬底，所述纵向结构的材质为金属或合金；所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型，所述纵向结构作为所述肖特基二极管的阳极，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极。本发明将横向设置且需要延伸一定距离的金属半导体界面改为竖向设置，因此能够减小金属半导体界面占用器件的平面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 集成 ldmosfet | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底，具有第二导电类型；阱区，设于所述衬底上，具有第一导电类型；第二导电类型掺杂区，设于所述阱区的上部；纵向结构，从所述第二导电类型掺杂区上方向下延伸、依次贯穿所述第二导电类型掺杂区、阱区至所述衬底，所述纵向结构的材质为金属，或所述纵向结构的材质包括金属及金属氮化物；所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型，所述纵向结构作为所述肖特基二极管的阳极，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极。
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