[发明专利]肖特基二极管及集成肖特基二极管的LDMOSFET

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底，具有第二导电类型；

阱区，设于所述衬底上，具有第一导电类型；

第二导电类型掺杂区，设于所述阱区的上部；

纵向结构，从所述第二导电类型掺杂区上方向下延伸、依次贯穿所述第二导电类型掺杂区、阱区至所述衬底，所述纵向结构的材质为金属，或所述纵向结构的材质包括金属及金属氮化物，从而形成竖向的金属半导体界面；所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型，所述纵向结构作为所述肖特基二极管的阳极，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括设于所述阱区的上部的第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区与所述第二导电类型掺杂区间隔一定距离，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度，所述肖特基二极管的阴极是通过所述第一导电类型掺杂区引出。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括隔离结构，所述隔离结构将所述第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区隔开。

4.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区的表面还设有导电接触区，所述导电接触区的材质为钴硅化合物。

5.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二导电类型掺杂区、第一导电类型掺杂区及隔离结构上还设有层间介质层，所述肖特基二极管还开设有穿过层间介质层连接至所述第一导电类型掺杂区的第一接触孔和穿过层间介质层连接至所述纵向结构的第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔内填充有导体以分别将所述第一导电类型掺杂区和纵向结构引出进行电性连接。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纵向结构的材质为钛，或所述纵向结构的材质包括钛和氮化钛。

7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.一种集成肖特基二极管的LDMOSFET，其特征在于，包括：

衬底，具有第二导电类型；

第一导电类型阱区，设于所述衬底上；

第二导电类型阱区，设于所述第一导电类型阱区的上部；

第一源漏掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区的上部；

第二源漏掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第一导电类型阱区的上部，且与所述第二导电类型阱区间隔一定距离；

栅极，设于所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区之间的区域上方；

纵向结构，从所述第一源漏掺杂区上方向下延伸、依次贯穿所述第一源漏掺杂区、第二导电类型阱区、第一导电类型阱区至所述衬底，所述纵向结构的材质为金属或合金；所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型，所述纵向结构作为所述肖特基二极管的阳极，所述第一导电类型阱区作为所述肖特基二极管的阴极。

9.根据权利要求8所述的集成肖特基二极管的LDMOSFET，其特征在于，所述第一源漏掺杂区作为所述LDMOSFET的源极，所述第二源漏掺杂区作为所述LDMOSFET的漏极。

10.根据权利要求8所述的集成肖特基二极管的LDMOSFET，其特征在于，还包括隔离结构，所述隔离结构将所述第二源漏掺杂区和第二导电类型阱区隔开。

11.根据权利要求8所述的集成肖特基二极管的LDMOSFET，其特征在于，所述第一源漏掺杂区的表面和第二源漏掺杂区的表面还设有导电接触区，所述导电接触区的材质为钴硅化合物。

12.根据权利要求8所述的集成肖特基二极管的LDMOSFET，其特征在于，所述纵向结构的材质为钛或氮化钛。