[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201711266313.1 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN108039351B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 顾鹏飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够解决现有的阵列基板中多个薄膜晶体管由于应用需求不同所需要的含氧环境不同,难以同时平衡多个薄膜晶体管的工作的稳定性的问题。包括衬底基板,还包括依次设置在衬底基板上的第一缓冲层、氧阻隔图案和第二缓冲层,以及设置在第二缓冲层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影位于氧阻隔图案在衬底基板上的正投影的边界范围以内。其中,第一缓冲层的含氧量高于第二缓冲层的含氧量。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括衬底基板,其特征在于:还包括依次设置在所述衬底基板上的第一缓冲层、氧阻隔图案和第二缓冲层,以及设置在所述第二缓冲层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影位于所述氧阻隔图案在所述衬底基板上的正投影的边界范围以内;其中,所述第一缓冲层的含氧量高于所述第二缓冲层的含氧量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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