[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有的阵列基板中多个薄膜晶体管由于应用需求不同所需要的含氧环境不同，难以同时平衡多个薄膜晶体管的工作的稳定性的问题。包括衬底基板，还包括依次设置在衬底基板上的第一缓冲层、氧阻隔图案和第二缓冲层，以及设置在第二缓冲层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影位于氧阻隔图案在衬底基板上的正投影的边界范围以内。其中，第一缓冲层的含氧量高于第二缓冲层的含氧量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

顶栅结构型氧化物薄膜晶体管与常规的背沟道刻蚀型(BCE)和刻蚀阻挡型(ESL)薄膜晶体管相比具体如下优点：显著降低了寄生电容，更有利于实现了良好的驱动效果；能够减小制作尺寸，更有利于实现高分辨率的显示需求；可以减薄栅极绝缘层的厚度，有利于进一步减薄整体的制作厚度；可以实现更稳定的薄膜晶体管电学特性，从而提高显示面板的信赖性。

对于实现不同功能的驱动薄膜晶体管(Driving TFT)和开关薄膜晶体管(SwitchTFT)而言，由于二者在显示面板中的应用需求不同，因此二者对外界环境的要求也不相同。驱动薄膜晶体管需要与其接触的膜层中氧含量较低，以便获得较好的正偏压温度稳定性(positive-bias temperature stress，简称PBTS)，保证稳定的显示效果。但是，开关薄膜晶体管处于氧含量较低的环境中其负偏压光照温度稳定性(negative bias illuminationtemperature stress，简称NBITS)较差，容易产生严重的负偏导致开关薄膜晶体管关断异常。而若提高环境氧含量，能够使开关薄膜晶体管达到较好的光照稳定性，又容易导致驱动薄膜晶体管的PBTS劣化。因此，对于薄膜晶体管接触的膜层中氧含量的调整难以同时顾及驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的需求差异。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够解决现有的阵列基板中多个薄膜晶体管由于应用需求不同所需要的含氧环境不同，难以同时平衡多个薄膜晶体管的工作的稳定性的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括衬底基板，还包括依次设置在衬底基板上的第一缓冲层、氧阻隔图案和第二缓冲层，以及设置在第二缓冲层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的沟道区在衬底基板上的正投影位于氧阻隔图案在衬底基板上的正投影的边界范围以内。其中，第一缓冲层的含氧量高于第二缓冲层的含氧量。

优选的，在第二缓冲层上依次设置有氧化物半导体层、栅绝缘层、栅金属层、层间介电层和源漏金属层，其中，氧化物半导体层包含有源层图案，栅金属层包含栅极图案，源漏金属层包括源极图案和漏极图案，且源极图案和漏极图案分别与有源层图案电连接，以形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。

优选的，第一薄膜晶体管的有源层图案在衬底基板上的正投影位于氧阻隔图案在衬底基板上的正投影的边界范围以内。

优选的，栅绝缘层和栅金属层在衬底基板上的正投影重叠。

进一步的，氧阻隔图案为不透光图案，氧阻隔图案包括层叠设置的至少两层。

进一步的，阵列基板为OLED显示装置中的阵列基板，第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为开关薄膜晶体管。

优选的，驱动薄膜晶体管的源极通过过孔与氧阻隔图案电连接。

本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括上述任一项的阵列基板。