[发明专利]一种富表面氧空位的钼酸铋材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711263833.7 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109865513A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李琦;杨炜沂;陈彦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B01J23/31 | 分类号： | B01J23/31;B01J37/10;C02F1/30;C01G39/00;C02F101/34;C02F101/30;C02F101/38 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种富表面氧空位的钼酸铋材料及其制备方法和应用，属于无机非金属纳米材料制备、太阳能利用与环境保护技术领域。该钼酸铋材料采用水热合成结合后处理工艺制备而成，通过后处理工艺参数的设计，调整钼酸铋的元素化学计量比，同时制造大量的表面氧空位，提高钼酸铋材料体系的光催化性能，解决了现有技术中钼酸铋材料一经合成就无法改变其光催化特性的缺陷，可直接应用光催化环境净化领域。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸铋 空位 表面氧 制备方法和应用 后处理 环境保护技术 环境净化领域 纳米材料制备 光催化特性 光催化性能 太阳能利用 无机非金属 材料体系 工艺制备 水热合成 元素化学 光催化 计量 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种富表面氧空位的钼酸铋材料，其特征在于：所述钼酸铋材料为具有Aurivillius相结构的纳米材料，表面富有氧空位的缺陷，氧空位与晶格氧的比例为(0.28‑0.96)：1。
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