[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法有效
| 申请号： | 201711259283.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108022694B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孟钢;方晓东;陶汝华;董伟伟;王时茂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺;郑琍玉 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电氧化物薄膜‑纳米线网络的制备方法。本发明包括步骤1，利用脉冲激光沉积方法在清洁的基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；步骤2，然后将表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的指定区域沉积金催化剂膜；步骤3，之后利用脉冲激光沉积方法在所述金催化剂膜表面生长出透明导电纳米线。通过重复步骤2，步骤3获得多级分叉纳米线网络。本发明提供了一种在微纳尺度下设计人工纳米线网络的方法。本发明能实现包括氧化铟锡，氟、锑掺杂氧化锡在内的多种透明导电氧化物纳米线在透明导电基底指定区域的生长，并且能精细地调节纳米线的自组装生长，包括每一步的分叉生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 纳米 网络 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电氧化物薄膜‑纳米线网络的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，透明导电氧化物薄膜生长：将清洁的基底放入脉冲激光沉积腔中，在10‑3～10‑1Pa的氧气气氛下将所述基底加热到100～350℃，控制准分子激光器的能量为20～60mJ、重复频率为2～10Hz，溅射透明导电氧化物靶材10～60min，所述基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；步骤2，金催化剂膜沉积：将步骤1中表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的指定区域沉积形成金催化剂膜；步骤3，纳米线生长：将步骤2所述基底转移到脉冲激光沉积腔中，在总压为1～10Pa的氧气‑氩气混合气氛下将所述基底加热到500～850℃，控制氧气分压为10‑5～10‑1Pa，控制准分子激光器的能量为20～60mJ、重复频率为2～10Hz，溅射透明导电氧化物靶材10～60min，所述金催化剂膜表面生长出透明导电纳米线；依次重复上述步骤2、步骤3多次获得多级分叉纳米线网络。
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