[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法

权利要求书

1.一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1，透明导电氧化物薄膜生长：将清洁的基底放入脉冲激光沉积腔中，在10^-3～10^-1Pa的氧气气氛下将所述基底加热到100～350℃，控制准分子激光器的能量为20～60mJ、重复频率为2～10Hz，溅射透明导电氧化物靶材10～60min，所述基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；

步骤2，金催化剂膜沉积：将步骤1中表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的指定区域沉积形成金催化剂膜；

步骤3，纳米线生长：将步骤2所述基底转移到脉冲激光沉积腔中，在总压为1～10Pa的氧气-氩气混合气氛下将所述基底加热到500～850℃，控制氧气分压为10^-5～10^-1Pa，控制准分子激光器的能量为20～60mJ、重复频率为2～10Hz，溅射透明导电氧化物靶材10～60min，所述金催化剂膜表面生长出透明导电纳米线；

依次重复上述步骤2、步骤3多次获得多级分叉纳米线网络。

2.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤1中基底材质为普通玻璃、石英玻璃、氧化铝、氧化镁、钛酸锶中的任意一种。

3.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述指定区域通过在透明导电氧化物薄膜表面贴不锈钢金属掩膜或者光刻形成。

4.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤1中基底清洗过程：对透明基底依次进行丙酮、异丙醇、去离子水超声清洗，氮气吹干后，进行紫外臭氧处理。

5.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤2中沉积方式选择磁控溅射、直流溅射、热蒸发、电子束蒸发中的任意一种。

6.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤1中透明导电氧化物薄膜的厚度为50～400nm，所述步骤2中金催化剂膜厚度为1～2nm。

7.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤1、步骤2中透明导电氧化物靶材为氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)中的任意一种，所述透明导电氧化物靶材中掺杂原子与基体原子的摩尔比为1:9。

8.如权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述步骤3中透明导电氧化物靶材与步骤1中透明导电氧化物薄膜材质相同。