[发明专利]一种黄绿光发光二极管有效

专利信息
申请号: 201711247866.2 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108110101B 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 刘超;高鹏;王凌飞;高文浩;刘晓峰;张军召;吴超瑜 申请(专利权)人: 天津三安光电有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种黄绿光发光二极管,包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导,其特征在于:所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱,其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱,所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合,采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫,减少了Al的组分使得器件可靠性更强,同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
搜索关键词: 一种 黄绿 发光二极管
【主权项】:
1.一种黄绿光发光二极管,包括:第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导,其特征在于:所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱,其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱,所述第二、第三量子阱为应变量子阱。
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