[发明专利]一种黄绿光发光二极管有效
| 申请号： | 201711247866.2 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108110101B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘超;高鹏;王凌飞;高文浩;刘晓峰;张军召;吴超瑜 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 黄绿 发光二极管 | ||
1.一种黄绿光发光二极管，包括：第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱为(Alx1Ga1-x1)0.5In0.5P无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P应变量子阱，其中x1>x2，y1>y2，所述应变量子阱的带宽与所述无应变量子阱的带宽相同。
2.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变补偿层的Al组分高于所述第一量子阱层的垒层的Al组分。
3.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变补偿层的In组分高于所述第一量子阱层的垒层的In组分。
4.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述第一量子阱的阱层的Al组分为10%-30%，垒层的Al组分为50%~70%。
5.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变量子阱的应变形式为张应变，应变量为2500PPM以上。
6.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变量子阱的阱层为(AlxGa1-x)1-y InyP，其中Al组分X的取值为5~25%，In组分y的取值为0.2~0.5。
7.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变补偿层的应变形式为压应变，应变量为2500PPM以上。
8.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：所述应变 补偿层的材料为(AlxGa1-x)1-y InyP，其中Al组分x为0.7~1，In组分y为0.5~1。
9.根据权利要求1所述的黄绿光发光二极管，其特征在于：应变补偿层的厚度为20~150nm。
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