[发明专利]一种提高ZnO纳米棒阵列光催化性能的方法有效

专利信息
申请号: 201711246721.0 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN107983327B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 赵敬忠;白杨;吕振林 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: B01J23/06 分类号: B01J23/06;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/34
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 涂秀清
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开的一种提高ZnO纳米棒阵列光催化性能的方法,具体按照以下步骤实施:首先,ZnO种子层衬底的制备,其次,ZnO纳米棒阵列薄膜的制备,最后,将所制备得到的ZnO纳米棒阵列薄膜的进行进一步处理,在压电光催化过程中,开启紫外灯管,运行摇床震荡器,利用紫外分光光度计(波长为466nm)中测量其压电光催化前后的吸光度,并计算其压电光催化效率。本发明公开的方法优点是利用光催化过程中水流波动的能量来提高ZnO纳米棒阵列的光催化性能。
搜索关键词: 一种 提高 zno 纳米 阵列 光催化 性能 方法
【主权项】:
一种提高ZnO纳米棒阵列光催化性能的方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、ZnO种子层衬底的制备;步骤1.1、将FTO衬底放入体积比为1:1:1的无水乙醇‑丙酮‑异丙酮混合溶液中,超声清洗后取出,用去离子水冲洗干净,并放入烘箱中烘干备用;步骤1.2、将一定量的Zn(CH3COO)2和NaOH固体分别溶于乙醇中,然后,取上述Zn(CH3COO)2和NaOH溶液分别加入一定量的乙醇溶液再进行稀释,之后将上述两种稀释后的溶液分别水浴加热到65℃后混合,并在65℃下保温一段时间,自然冷却后得到的ZnO种子层溶液,将ZnO种子层溶液涂敷于FTO衬底上,待其自然蒸发后进行下一次涂敷,重复涂敷多次保证ZnO种子层厚度,最终获得ZnO前驱体膜;步骤1.3、将步骤1.2所得的ZnO前驱体膜置于马弗炉中,恒温反应一定时间,获得ZnO种子层衬底;步骤2、ZnO纳米棒阵列薄膜的制备;步骤2.1、将步骤1制备好的ZnO种子层衬底放入聚四氟乙烯反应釜内衬中,保持ZnO种子层衬底向下,然后,将聚乙烯亚胺、六次甲基四胺和硝酸锌固体依次加入到去离子水中形成混合溶液,并转移到反应釜内衬中;步骤2.2、将步骤2.1所述的反应釜放入干燥箱中进行水热反应后,自然冷却至室温,得到生长有ZnO薄膜的种子层衬底,用去离子水冲洗后,干燥;步骤2.3、将干燥后的样品重复进行3次上述步骤2.2的操作;步骤2.4、将步骤2.3所得样品置于马弗炉中恒温反应一段时间,获得ZnO纳米棒阵列薄膜;步骤3、将步骤2所制备得到的ZnO纳米棒阵列薄膜的进行进一步处理,具体操作如下:将步骤2制备得到的ZnO纳米棒阵列薄膜样品放入铁丝笼中,将石英玻璃球置于样品上,铁丝笼被放入盛有40mL1mg/L的甲基橙溶液的烧杯中,最终,烧杯被固定于摇床振荡器中,在压电光催化过程中,开启紫外灯管,运行摇床振动器,摇床振荡器采用一定的震荡速度模拟ZnO光催化剂工作环境中来回震荡的水流,利用紫外分光光度计测量其压电光催化前后的吸光度,并计算其压电光催化效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711246721.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top