[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法在审
申请号: | 201711244260.3 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108257984A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张强 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种焦平面阵列探测器,包括光敏衬底,覆盖在所述光敏衬底表面的金属单元阵列,所述光敏衬底表面金属单元阵列以外的区域设置有连为一体的填充胶,所述填充胶的高度大于所述金属单元阵列的高度。本发明的目的在于解决现有焦平面阵列探测器中焦平面阵列与读出电路上的铟凸点连接时容易错位,相邻像元容易短路而形成坏像元的技术问题以及当前焦平面阵列探测器的制备工艺下所制备的小像元焦平面面阵的量产良率低的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 焦平面阵列探测器 金属单元 光敏 衬底表面 填充胶 像元 制备 读出电路 平面阵列 区域设置 制备工艺 短路 衬底 良率 量产 凸点 错位 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种焦平面阵列探测器,其特征在于,包括光敏衬底(1),覆盖在所述光敏衬底(1)表面的金属单元阵列(2),所述光敏衬底(1)表面金属单元阵列(2)以外的区域设置有连为一体的填充胶(4),所述填充胶(4)的高度大于所述金属单元阵列(2)的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的