[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711244260.3 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108257984A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;G01J5/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张强
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种焦平面阵列探测器,包括光敏衬底,覆盖在所述光敏衬底表面的金属单元阵列,所述光敏衬底表面金属单元阵列以外的区域设置有连为一体的填充胶,所述填充胶的高度大于所述金属单元阵列的高度。本发明的目的在于解决现有焦平面阵列探测器中焦平面阵列与读出电路上的铟凸点连接时容易错位,相邻像元容易短路而形成坏像元的技术问题以及当前焦平面阵列探测器的制备工艺下所制备的小像元焦平面面阵的量产良率低的技术问题。
搜索关键词: 焦平面阵列探测器 金属单元 光敏 衬底表面 填充胶 像元 制备 读出电路 平面阵列 区域设置 制备工艺 短路 衬底 良率 量产 凸点 错位 覆盖
【主权项】:
1.一种焦平面阵列探测器,其特征在于,包括光敏衬底(1),覆盖在所述光敏衬底(1)表面的金属单元阵列(2),所述光敏衬底(1)表面金属单元阵列(2)以外的区域设置有连为一体的填充胶(4),所述填充胶(4)的高度大于所述金属单元阵列(2)的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉高芯科技有限公司,未经武汉高芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711244260.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top